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沈阳鹏程真空技术有限责任公司

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沈阳鹏程真空技术有限责任公司
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CK600磁控镀膜机销售在线咨询,沈阳鹏程真空技术公司

发布时间:2020-10-22 08:37:46        







卧式磁控溅射镀膜机

以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容,沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产磁控溅射产品,欢迎新老客户莅临。

主要用途:  

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。  

系统组成:  

主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。



磁控溅射的工作原理

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磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。旋转基片台1套,样品台可放置不小于100mm样品1片,具有连续旋转功能,旋转0—30转/分连续可调。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。

磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。



磁控溅射镀膜机的工作原理是什么?

磁控溅射原理:电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞,电离出大量的离子和电子,电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,沉积在基片上。(2)装饰领域的应用,如各种全反射膜及半透明膜等,如手机外壳,鼠标等。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用( E X B drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓,那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射,多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向,电压电流大小而已

沈阳鹏程真空技术有限责任公司本着多年磁控溅射产品行业经验,专注磁控溅射产品研发定制与生产,***的磁控溅射产品生产设备和技术,建立了严格的产品生产体系,想要更多的了解,欢迎咨询图片上的***电话!!!



自动磁控溅射系统概述

带有水冷或者加热(可加热到700度)功能,大到6'旋转平台,可支持到4个偏轴平面磁控管。当这种碰撞级联到达靶材表面时,如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能(对于金属是1-6eV),这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-7 Torr,15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离,可以获得想要的均匀度和沉积速度。

带有14”立方形不锈钢腔体,4个2”的磁控管,DC直流和RF射频电源。 在选配方面,350 l/s涡轮分子泵,额外的磁控管和衬底加热功能。

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